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    1. 
      
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      2. 地址:宿遷市宿豫區高新技術開發區陸莊路188號
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        晶體硅太陽能電池漿料背面鋁漿

        產品用途 背面鋁漿產品主要應用于晶體硅太陽能電池背電場

        產品性能

        l 與晶體硅片有著良好的熱膨脹匹配性;

        l 具有優異的印刷性能;

        l 具有表面細膩潤滑、附著力強、彎曲度小和轉換效率高等優點;

        l 通過絲網印刷和燒結,能形成良好的BSF層,大大提高開路電壓。

        性能參數

        檢測方法

        SA139C

        SA151A

        SA155A

        外觀

        目測

        細膩潤滑

        細膩潤滑

        細膩潤滑

        細度(μm

        刮板細度計

        20.0

        20.0

        20.0

        粘度

        Pa·s

        Brookfield 粘度計 RVDC-C,25

        40±10.0

        40±10.0

        40±10.0

        固含量

        %

        高溫爐 400,30min

        75.0±5.0

        75.0±5.0

        75.0±5.0

        干燥膜厚

        μm

        KYKY-3200

        掃描電鏡

        30.0±5.0

        30.0±5.0

        30.0±5.0

        燒結膜厚

        μm

        KYKY-3200

        掃描電鏡

        20.0±5.0

        20.0±5.0

        20.0±5.0

        燒后方阻

        mΩ/□

        方阻儀 DMR-1C,25

        15

        15

        15

        附著力

        單面EVA

        電池片轉換效率

        效率測試儀

        單晶硅,平均轉換效率≥18.4%

        多晶硅,平均轉換效率≥16.8%

        主要特點

        綜合性能好

        高轉換效率

        低翹曲

        印刷工藝

        l 漿料攪拌:每罐漿料充分攪拌3~6h;

        l 絲網參數:250目,感光膜厚度10μm,線徑30μm,張力30N;

        l 印刷參數:網版間距:1.1-1.6mm,印刷壓力70-85N,印刷速度250-300mm/s。

        客戶印刷耗量反饋

        單晶片125*125

        漿料型號

        平均耗量

        漿料型號

        平均耗量

        參考

        0.90g

        參考

        0.83g

        SA139C

        0.85g

        SA155A

        0.78g

        多晶片156*156

        漿料型號

        平均耗量

        漿料型號

        平均耗量

        參考

        1.385g

        參考

        1.360g

        SA139C

        1.380g

        SA155A

        1.350g

        燒結工藝

        燒結工藝窗口較寬,最高燒結溫度可以設置在850-940之間,以下推薦兩套燒結工藝,以Despatch燒結爐為參考。

        單晶125*125的燒結工藝:

        1 單晶125*125燒結工藝圖

        燒結設置溫度(℃)

        250

        240

        220

        625

        635

        680

        700

        775

        895

        實際溫度(℃):

        240

        230

        215

        515

        530

        570

        590

        655

        770

        Despatch燒結爐,其他燒結爐工藝略有不同,僅供參考)

        多晶156*156的燒結工藝如下圖:

        2 多晶156*156燒結工藝圖

        燒結設置溫度(℃)

        255

        255

        240

        630

        640

        685

        705

        785

        905

        實際溫度(℃):

        245

        240

        230

        520

        535

        575

        595

        660

        775

        Despatch燒結爐,其他燒結爐工藝略有不同,僅供參考)

        干燥膜厚 燒結膜厚

        3 背鋁漿干燥和燒結膜厚

         
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